全球晶圓代工市場(chǎng)逐漸轉(zhuǎn)移至16/14納米制程的鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）技術(shù)，最初由芯片大廠英特爾（Intel）帶動(dòng)，而后三星電子（Samsung Electronics）與臺(tái)積電加入戰(zhàn)局，GlobalFoundries也將很快涉足此新興市場(chǎng)。不過(guò)由于技術(shù)、成本等因素，導(dǎo)致各大廠比預(yù)期還要晚推出FinFET量產(chǎn)計(jì)劃。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner報(bào)告，各大晶圓廠原訂2014年第3季量產(chǎn)16/14納米制程FinFET芯片，目前各大廠進(jìn)程比當(dāng)初原訂計(jì)劃延后至少2~4季，分析師認(rèn)為主要肇因于技術(shù)和成本的挑戰(zhàn)。

Semiconductor Engineering網(wǎng)站指出，各大晶圓廠導(dǎo)入FinFET技術(shù)后，面臨預(yù)期之外的技術(shù)掌握困難，包括新的多重曝光（multiple patterning）流程、芯片良率（yield）以及后端制程銜接等調(diào)整。

英特爾為提升芯片良率，比原訂計(jì)劃晚幾個(gè)月開始導(dǎo)入14納米制程FinFET芯片，至2014年底才生產(chǎn)，導(dǎo)致下游廠商Altera也將其14納米FPGA生產(chǎn)日期從2014年延至2015年底。而其他晶圓代工廠與下游廠商，在FinFET相關(guān)產(chǎn)品線亦有類似延后生產(chǎn)情形。

傳統(tǒng)平面型（planar）芯片一旦縮小到20納米以下，會(huì)產(chǎn)生短通道效應(yīng)（short channel effect），電晶體會(huì)不當(dāng)關(guān)閉，也讓電子裝置耗用更多待機(jī)電能。采FinFET技術(shù)的立體結(jié)構(gòu)芯片，則能縮小芯片尺寸、改善漏電流問(wèn)題并提升效能，因此芯片業(yè)者若想進(jìn)到16/14納米或者更小的芯片市場(chǎng)，勢(shì)必要轉(zhuǎn)戰(zhàn)FinFET芯片。

然而，半導(dǎo)體業(yè)者在轉(zhuǎn)型FinFET之路上，面臨設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、以及成本三方挑戰(zhàn)。臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音指出，新型芯片使得電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)軟體愈趨復(fù)雜，以前只需要1年前開始準(zhǔn)備，現(xiàn)在則需更多時(shí)間與資源，大幅提高成本。

此外，工程師需要依據(jù)16/14納米制程的雙重曝光（double patterning）技術(shù)，重新設(shè)計(jì)作業(yè)流程，16/14納米制程也更需要考量光罩（mask）層次的標(biāo)色分解與布局。產(chǎn)制流程也將面臨很大技術(shù)挑戰(zhàn)，像是晶圓蝕刻、測(cè)量、缺陷檢測(cè)等設(shè)備都需投注大筆資金進(jìn)行升級(jí)。

GlobalFoundries設(shè)計(jì)研究部門董事Richard Trihy表示，雙重曝光影響到整個(gè)設(shè)計(jì)制程，像是寄生電容抽取與變動(dòng)（parasitic extraction and variation）與設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）工具等等，各大晶圓廠也正引進(jìn)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（Electronic Design Automation；EDA）工具，降低FinFET對(duì)工程師的轉(zhuǎn)型沖擊。

而資本是生產(chǎn)FinFET芯片最大的挑戰(zhàn)，根據(jù)Gartner資料，傳統(tǒng)28納米平面型電晶體設(shè)計(jì)價(jià)位約3，000萬(wàn)美元，中階14納米單芯片（SoC）設(shè)計(jì)定價(jià)則在8，000萬(wàn)美元左右，成本相差近3倍。

若加上程式開發(fā)與光罩成本還要加上60%成本價(jià)，高階SoC更是中階SoC的雙倍價(jià)格。也因?yàn)樵靸r(jià)昂貴，許多只付得起28納米芯片的廠商，暫時(shí)將不轉(zhuǎn)戰(zhàn)FinFET市場(chǎng)。

FinFET的人力開發(fā)與時(shí)間成本更是高昂，50人工程師團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)一組14納米中階SoC，得耗時(shí)4年方能完成，還要再耗費(fèi)9~12個(gè)月進(jìn)行原型（prototype）產(chǎn)制、測(cè)試與認(rèn)證后才能量產(chǎn)，而這都是未失敗的前提下。

盡管英特爾在FinFET市場(chǎng)領(lǐng)先2~3年起步，但其14納米芯片制程延后，也給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手急起直追的機(jī)會(huì)。臺(tái)積電于2014年對(duì)外揭露， 2015年度將暫以20納米制程為主，2016年再聚焦FinFET。

三星則直接放棄20納米制程，決定于2015年全心迎戰(zhàn)FinFET市場(chǎng)，于2015年2月推出搭載8核心、64位元ARM處理器的Exynos 7420，也宣布14納米制程進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)投資機(jī)構(gòu)Pacific Crest Securities消息，下一代iPhone的處理器訂單也將交由三星生產(chǎn)。

Pacific Crest Securities表示，目前三星14納米制程每月晶圓投片量（wafer starts per month；WSPM）約1.1萬(wàn)，占其12吋（300mm）晶圓廠產(chǎn)能10%，而三星也將移轉(zhuǎn)部分28納米制程產(chǎn)能至14納米制程，將14納米制程WSPM提升至4.6萬(wàn)。

GlobalFoundries也技轉(zhuǎn)自三星14納米制程技術(shù)，其位于紐約的晶圓廠具3萬(wàn)WSPM產(chǎn)能，將于2015年稍晚進(jìn)入FinFET生產(chǎn)流程。

臺(tái)積電則預(yù)計(jì)2015年中開始量產(chǎn)16納米FinFETFET，且計(jì)劃于2016年底達(dá)到10萬(wàn)WSPM產(chǎn)能。FinFET技術(shù)導(dǎo)入計(jì)劃一延再延，終于在2015年逐漸上軌，全球半導(dǎo)體大廠正摩拳擦掌，準(zhǔn)備搶食這塊晶圓大餅。